.
23.10.2026 
  
Целевое обучение
nauchny polk
Будем признательны за отзыв о нашем институте!
Ваше мнение формирует официальный рейтинг организации:

Анкета доступна по QR-коду, а также по прямой ссылке:
https://bus.gov.ru/qrcode/rate/359057

В пятницу (23 октября) в 14:30 в конференц-зале ИФТТ РАН состоится семинар "Нелинейные динамические системы".

1. П.В. Долганов, Н.А. Спириденко, В.К. Долганов
Капли из топологических дефектов с противоположными топологическими зарядами в нематических плёнках

Письма в ЖЭТФ, принято к публикации

Аннотация:

Исследуется коллективное поведение топологических дефектов в тонких жидкокристаллических плёнках. Показано, что при большой плотности дефектов могут образовываться двумерные капли из топологических дефектов с топологическими зарядами противоположного знака. Со временем из-за парной аннигиляции дефектов с противоположными топологическими зарядами число дефектов уменьшается, но плотность может оставаться высокой. Обсуждается аналогия и различие полученных нами капель из топологических дефектов с противоположными топологическими зарядами и других систем частиц и античастиц.

2. Р.С. Евстигнеев, Ю.П. Кабанов, Л.С. Успенская , В.С. Горнаков
"Температурная зависимость поля зародышеобразования в уединенных и обменно-связанных ультратонких пленках Co"

Журнал: Письма в ЖЭТФ

Аннотация:

В диапазоне температур T = 30 ÷ 300 K экспериментально изучен процесс перемагничивания ультратонких слоев Со, уединенных и обменно-связанных через слой Pd, и определены поля зародышеобразования HN . Обнаружено, что в обменно-связанных пленках на зависимостях HN (T ) наблюдается кроссовер. В области высоких температур, где слои перемагничиваются независимо друг от друга, как и в однослойных пленках, HN ∼ T {−1}, в области низких температур, где слои перемагничиваются скоррелированно, HN ∼ ln(T ^{−1}). Проведенные численные расчеты показали, что определяющим фактором зародышеобразования в гетероструктуре является межслоевое обменное взаимодействие, что позволяет качественно объяснить зависимость HN (T).