- Лабораторией квантовых кристаллов - полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет;

С перечнем требований к кандидату можно ознакомиться на Портале вакансий по адресу https://ученые-исследователи.рф/

С победителем конкурса будет заключен срочный трудовой договор. Заявление и документы согласно Положению о конкурсе (www.issp.ac.ru) направлять ученому секретарю ИФТТ РАН Терещенко А.Н. по адресу: 142432 г. Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, д. 2, ИФТТ РАН.
Срок подачи документов – со дня опубликования до 17:30 09.10.2026г.

В Лабораторию поверхностного деформационного структурирования:

• специалиста в области прикладного материаловедения, технологий получения композиционных материалов и исследования процессов их формирования, структуры и физико-механических свойств - полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет;

С победителем конкурса будет заключен срочный трудовой договор. Заявление и документы согласно Положению о конкурсе (www.issp.ac.ru) направлять ученому секретарю ИФТТ РАН Терещенко А.Н. по адресу: 142432 г. Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, д. 2, ИФТТ РАН.

Срок подачи документов – со дня опубликования до 17:30 18.09.2026 г.

в Лабораторию квантовых кристаллов:

• специалиста в области разработки и создания материалов с заданными структурой и свойствами, в том числе композитных, тугоплавких и биосовместимых материалов - полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет;

С победителем конкурса будет заключен срочный трудовой договор. Заявление и документы согласно Положению о конкурсе (www.issp.ac.ru) направлять ученому секретарю ИФТТ РАН Терещенко А.Н. по адресу: 142432 г. Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, д. 2, ИФТТ РАН.

Срок подачи документов – со дня опубликования до 17:30 18.09.2026 г.

 в Лабораторию новых функциональных материалов и структур:

- специалистов в области создания и исследования новых функциональных материалов и гибридных структур: 0.5 ставки, 12 вакансий сроком на 2 года;

в Лабораторию водородной энергетики:

- специалистов по разработке и исследованию твердооксидных топливных элементов - 0.5 ставки, 2 вакансии сроком на 4 года;

- специалиста в области синтеза и исследования физико-химических свойств материалов для электродов твердооксидных топливных элементов и электролизеров - полная ставка, 1 вакансия сроком на 2 года;

- специалиста в области исследования переноса заряда в оксидах с двумя электроактивными катионами - полная ставка, 1 вакансия сроком на 2 года;

- специалиста по разработке систем управления и силовой электроники для устройств водородной энергетики - полная ставка, 1 вакансия сроком на 2 года;

в Лабораторию неравновесных электронных процессов:

- специалиста в области разработки датчиков мощности – 0.5 ставки, 1 вакансия сроком на 4 года;

- специалиста в области разработки полупроводникового амплитудного модулятора терагерцового излучения – 0.5 ставки, 1 вакансия сроком на 4 года;

- специалистов в области исследований неравновесных электронных процессов – 0.5 ставки, 3 вакансии сроком на 4 года;

в Лабораторию поверхностного деформационного структурирования:

- специалиста в области исследования электронной структуры низкоразмерных фаз Шевреля - халькогенидов молибдена – 0.5 ставки, 1 вакансия сроком на 4 года;

в Лабораторию квантовых кристаллов:

- специалиста в области исследования трехмерных жидкокристаллических фотонных кристаллов с перестраиваемыми характеристиками – 0.5 ставки, 1 вакансия сроком на 4 года;

- специалиста в области исследования топологических переходов в нематических жидких кристаллах - полная ставка, 1 вакансия сроком на 2 года;

в Лабораторию профилированных кристаллов:

- специалиста в области исследования терагерцовых оптических материалов на основе полых наночастиц SiO2 – 0.5 ставки, 1 вакансия сроком на 4 года;

- специалиста в области исследования диэлектрических характеристик рассеивающих и сильно поглощающих сред в терагерцовом диапазоне - полная ставка, 1 вакансия сроком на 2 года;

в Лабораторию квантового транспорта:

- специалиста в области исследования транспортных свойств топологических полуметаллов в режиме сверхпроводящего эффекта близости - полная ставка, 1 вакансия сроком на 2 года;

 в Лабораторию сверхпроводимости:

- специалиста в области экспериментального исследования прототипов сверхпроводящих нейронов – полная ставка, 1 вакансия сроком на 2 года;

С победителями конкурса будет заключен срочный трудовой договор. Заявления и документы согласно Положению о конкурсе (www.issp.ac.ru) направлять ученому секретарю ИФТТ РАН Терещенко А.Н. по адресу: 142432 г. Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, д. 2, ИФТТ РАН.

Срок подачи документов – два месяца со дня опубликования.

в Лабораторию квантовых кристаллов:
- специалиста в области экспериментального исследования вихревого течения, возбуждаемого волнами на поверхности жидкости - полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет;

С победителем конкурса будет заключен срочный трудовой договор. Заявление и документы согласно Положению о конкурсе (www.issp.ac.ru) направлять ученому секретарю ИФТТ РАН Терещенко А.Н. по адресу: 142432 г. Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, д. 2, ИФТТ РАН.
Срок подачи документов – со дня опубликования до 17:30 27.03.2026г.