в Лабораторию спектроскопии дефектных структур:
- специалиста в области дефектной структуры и переноса заряда в оксидах со смешанной кислород-ионной и электронной проводимостью – полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет;
в Лабораторию управляемого роста кристаллов:
- специалиста в области математического моделирования тепломассопереноса при выращивании профилированных кристаллов сапфира и расчета термоупругих напряжений в кристаллах – 1 вакансия, полная ставка, трудовой договор на постоянной основе;
Заявление и документы согласно Положению о конкурсе (www.issp.ac.ru) направлять ученому секретарю ИФТТ РАН Терещенко А.Н. по адресу: 142432 г. Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, д. 2, ИФТТ РАН.
Срок подачи документов – два месяца со дня опубликования.