в Лабораторию спектроскопии дефектных структур:
- специалиста в области дефектной структуры и переноса заряда в оксидах со смешанной кислород-ионной и электронной проводимостью – полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет;

в Лабораторию управляемого роста кристаллов:
- специалиста в области математического моделирования тепломассопереноса при выращивании профилированных кристаллов сапфира и расчета термоупругих напряжений в кристаллах – 1 вакансия, полная ставка, трудовой договор на постоянной основе;

Заявление и документы согласно Положению о конкурсе (www.issp.ac.ru) направлять ученому секретарю ИФТТ РАН Терещенко А.Н. по адресу: 142432 г. Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, д. 2, ИФТТ РАН.
Срок подачи документов – два месяца со дня опубликования.

в Лабораторию водородной энергетики:
- специалиста в области создания функциональных слоев твердооксидных топливных элементов методом аэрозольного осаждения - полная ставка, 1 вакансия сроком на 2 года;

в Лабораторию квантовых кристаллов:
- специалиста в области создания и исследования сверхструктур в композициях органика – неорганика – 0.5 ставки, 1 вакансия сроком на 2 года;

в Лабораторию неравновесных электронных процессов:

- специалиста в области исследования терагерцовых резонансных SERS структур - 0.5 ставки, 1 вакансия сроком на 4 года;
- специалиста в области исследования квантово-холловских спиновых текстур - 0.5 ставки, 1 вакансия сроком на 4 года;

в Лабораторию квантового транспорта:
- специалиста в области исследования транспорта в топологических полуметаллах - 0.5 ставки, 1 вакансия сроком на 2 года;

в Лабораторию спектроскопии дефектных структур:
- специалиста в области создания и исследования высокотемпературных композитов с оксидным волокном – 0.5 ставки, 1 вакансия сроком на 2 года;

в Лабораторию физики высоких давлений:
- специалиста в области исследования новых фаз высокого давления на основе углерода и силикатов – 0.5 ставки, 1 вакансия сроком на 2 года;

С победителями конкурса будет заключен срочный трудовой договор. Заявления и документы согласно Положению о конкурсе (www.issp.ac.ru) направлять ученому секретарю ИФТТ РАН Терещенко А.Н. по адресу: 142432 г. Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, д. 2, ИФТТ РАН.
Срок подачи документов – два месяца со дня опубликования.

в Лабораторию новых функциональных материалов и структур:
- специалистов в области создания и исследования новых функциональных материалов и структур - 0.5 ставки, 12 вакансий сроком на 2 года;

в Лабораторию квантового транспорта:
- специалиста в области исследования поверхностных спиновых текстур в топологических полуметаллах - 0.5 ставки, 1 вакансия сроком на 4 года;

в Лабораторию спектроскопии дефектных структур:
- специалиста в области изучения свойств углеалюминиевых композитов – 0.5 ставки, 1 вакансия сроком на 4 года;

в Лабораторию сверхпроводимости:
- специалиста в области исследования когерентного транспорта и неравновесных эффектов в субмикронных планарных гибридных структурах с джозефсоновскими SNS переходами – 0.5 ставки, 1 вакансия сроком на 4 года;

в Лабораторию квантовых кристаллов:
- специалиста в области исследование статистических свойств геострофических когерентных вихрей – 0.5 ставки, 1 вакансия сроком на 4 года;
- специалиста в области исследования турбулентности на поверхности и в объеме классической и квантовой жидкости – 0.5 ставки, 1 вакансия сроком на 4 года;
- специалистов в области создания и исследования свойств наносистем и наноматериалов, а также новых функциональных материалов - 0.5 ставки, 6 вакансий сроком на 4 года;

в Лабораторию физико-химических основ кристаллизации:
- специалиста в области синтеза и транспортных методов роста кристаллов халькогенидов металлов - полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет;

в Лабораторию квантовых кристаллов:
- специалиста в области исследования магнитных свойств тонкопленочных гетероструктур
- полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет;

в Лабораторию неравновесных электронных процессов:
- специалиста в области фотоники и спектроскопии (экспериментальные исследования экситонных поляритонов в полупроводниковых микрорезонаторах и экситонных комплексов в ван-дер-ваальсовых гетероструктурах на основе монослоёв дихалькогенидов переходных металлов методом микрофотолюминесценции) - полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет;

в Лабораторию квантового транспорта:
- специалиста в области транспортных свойств топологических материалов со слоистой структурой, магнитными свойствами и ферроэлектрической поляризацией - полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет;

С победителями конкурса будет заключен срочный трудовой договор. Заявление и документы согласно Положению о конкурсе (www.issp.ac.ru) направлять ученому секретарю ИФТТ РАН Терещенко А.Н. по адресу: 142432 г. Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, д. 2, ИФТТ РАН.
Срок подачи документов – со дня опубликования до 17:30 09.07.2023г.

в Лабораторию неравновесных электронных процессов:

- специалиста в области рамановской спектроскопии газовых смесей и микроволновой спектроскопии низкоразмерных электронных и дырочных систем - полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет;

С победителем конкурса будет заключен срочный трудовой договор. Заявление и документы согласно Положению о конкурсе (www.issp.ac.ru) направлять ученому секретарю ИФТТ РАН Терещенко А.Н. по адресу: 142432 г. Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, д. 2, ИФТТ РАН.
Срок подачи документов – со дня опубликования до 17:30 09.07.2023г.