24.11.2017 
  


В связи с обновлением программного обеспечения сайт находится на реконструкции (некоторые страницы и сервисы могут быть недоступны)

Изобретение относится к области нанотехнологий, развитие которых требует, в частности, получения наночастиц различных металлов. Для ряда применений особый интерес представляет получение наночастиц галлия. Задачей данного изобретения является получение наночастиц галлия в кристаллической матрице моноселенида галлия (GaSe) при одновременном упрощении процесса. Эта задача решается в предлагаемом способе получения наночастиц галлия в кристал лической матрице моноселенида галлия (GaSe) расплавлением навески состава Ga 52±0,05% (мас.), Se 48±0,05% (мас.) и последующей кристаллизацией при поступательном движении фронта кристаллизации с периодическими остановками, причем периодичность остановок фронта находится в диапазоне 6-18 мин, продолжительность каждой остановки составляет 0,003-0,005 сек. Получение наночастиц Ga в матрице GaSe не требует ни создания глубокого вакуума, ни приготовления специальной подложки, что существенно упрощает процесс.

Контакты

Телефон:
8(496) 52 219-82
+7 906 095 4402

Факс:
+7(496) 522 8160
8(496) 522 8160

Почтовый адрес:
ИФТТ РАН, Черноголовка, Московская обл., ул.Академика Осипьяна д.2, 142432, Россия

E-mail:
Вебмастер
Ученый секретарь

WWW:
www.issp.ac.ru