Печать

Способ химического травления теллурида кадмия, полученного методом нанопорошковой технологии, относится к области изготовления полупроводниковых приборов, в частности детекторов ионизирующих излучений и оптических элементов для ИК-лазеров на основе керамики теллурида кадмия (CdTe), изготовленной по нанопорошковой технологии и может использоваться для анализа микроструктуры материала и изделий из керамики. Сущность изобретения: с помощью химического травления при температуре +18 - +25°С в течение 1-2 минут в растворе, содержащем 6-10 об.% брома и 90-94 об.% метилового спирта, выявляют границы зерен в керамике теллурида кадмия, полученной методом нанопорошковой технологии. Выявленная с помощью травления зеренная структура наблюдается в оптический микроскоп. Это позволяет контролировать микроструктуру данного материала, которая влияет на такие важные для практического применения в технике характеристики, как, например, пропускание в области ИК-излучений, электрическое сопротивление. Техническим результатом изобретения является разработка способа химического травления керамики теллурида кадмия, полученной методом нанопорошковой технологии, позволяющего проводить травление границ зерен, что позволит исследовать микроструктуру.