19.11.2017 
  


В связи с обновлением программного обеспечения сайт находится на реконструкции (некоторые страницы и сервисы могут быть недоступны)

Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых приборов и может использоваться для изготовления оптических фильтров видимого и ближнего инфракрасного диапазонов спектра. Оптический фильтр с активным элементом из слоя наночастиц теллурида цинка-кадмия Cd1-xZnxTe (0≤x<1) с размером наночастиц в слое 5-10 нм при толщине слоя 30-50 нм, причем слой выращен на поверхности пассивного элемента из кристаллического теллурида цинка (ZnTe). Изменение значения «х» в формуле Cd1-xZnxTe позволяет задавать спектральное положение границы пропускания в диапазоне длин волн от 0,550 мкм (х=1) до 0,838 мкм (х=0). Технический результат – снижение толщины активного элемента оптического фильтра.

Контакты

Телефон:
8(496) 52 219-82
+7 906 095 4402

Факс:
+7(496) 522 8160
8(496) 522 8160

Почтовый адрес:
ИФТТ РАН, Черноголовка, Московская обл., ул.Академика Осипьяна д.2, 142432, Россия

E-mail:
Вебмастер
Ученый секретарь

WWW:
www.issp.ac.ru