Печать

Хорошева Мария Анатольевна

Место работы: ИФТТ с 2006г
Должность: м.н.с. ЛСДС
Окончила: Борисоглебский государственный педагогический институт в 2006г.
Обучение в аспирантуре: 2013-2016гг.
Научный руководитель: член-корр. РАН, профессор, доктор физ.-мат. наук Кведер Виталий Владимирович
Тема работы: "Взаимодействия дислокаций с примесями и дефектами в кремнии и их влияние на электронные свойства кремния"
Научные интересы: электронные свойства дефектов в кремнии, взаимодействие протяженных дефектов с примесями; нестационарная емкостная спектроскопия глубоких уровней.
Рабочий телефон: 2-82-02
Мобильный телефон: 8 919 995 21 57
Рабочая комната: 117ГЛК, 118ГЛК, 218ГЛК, 226ГЛК
e-mail: Этот адрес электронной почты защищён от спам-ботов. У вас должен быть включен JavaScript для просмотра.
Адрес ИФТТ: Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, д.2

Список публикаций:

  1. V. Kveder, V. Orlov, M. Khorosheva, M. Seibt «Influence of the dislocation travel distance on the DLTS spectra of dislocations in Cz-Si». Solid State Phenomena Vols.131-133, (175-181), (2008)
  2. М.А. Хорошева, В.И. Орлов, Н.В. Абросимов,  В.В. Кведер «Определение неравновесной концентрации вакансий в кристаллах кремния по измерению концентрации атомов никеля в узлах решетки» Журнал Экспериментальной и Теоретической Физики т.137, вып.5, (879-885), (2010).
  3. S. Beringov, A. Shkulkov, Yu. Cherpak, M. Vlasiuk, T. Vlasenko, I. Buchovska, V. Kveder, M. Khorosheva «Multicrystalline silicon production for solar cells applications by continuous induction melting in cold crucible». Phys. Status Solidi C 10 №1, (24-27), (2012).